产品分类 |
分离式半导体产品 >> FET - 单 |
IRLR3303TRPBF PDF |
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产品目录绘图 |
IR Hexfet DPak
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标准包装 |
2,000 |
系列 |
HEXFET® |
FET 型 |
MOSFET N 通道,金属氧化物
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FET 特点 |
逻辑电平门
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漏极至源极电压(Vdss) |
30V
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电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C |
35A
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开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C |
31 毫欧 @ 21A,10V
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Id 时的 Vgs(th)(最大) |
1V @ 250µA
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闸电荷(Qg) @ Vgs |
26nC @ 4.5V
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输入电容 (Ciss) @ Vds |
870pF @ 25V
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功率 - 最大 |
68W
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安装类型 |
表面贴装
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封装/外壳 |
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
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供应商设备封装 |
D-Pak
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包装 |
带卷 (TR)
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产品目录页面 |
1522 (CN2011-ZH PDF)
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其它名称 |
IRLR3303PBFTR IRLR3303TRPBF-ND IRLR3303TRPBFTR-ND
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